该公司将演示高性能、低功耗内存技术

北京--(美国商业资讯)--Rambus Inc.（纳斯达克股票代码：RMBS）：

世界领先的技术授权公司Rambus Inc.将参加在北京举行的英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum，IDF）。除了推出与提高内存接口性能有关的课程外，Rambus还将现场演示其TB级带宽计划（Terabyte Bandwidth Initiative）、DDR3内存接口及Mobile XDR^TM内存架构的创新技术。

Rambus的演讲

美国中部时间（CST）2011年4月12日（星期二）13:00
采用通过并行设计方法来提高内存接口的性能（Advancing Memory Interface Performance through Concurrent Engineering）
演讲者：Rambus Inc.工程总监Chuck Yuan博士

会上，Yuan博士将讨论内存数据速率超越1Gbps的趋势，而该趋势将促使接口设计复杂程度显著提高。为了满足新一代电子系统的性能要求并降低成本，必须考虑同时广泛优化设计的各个方面，包括硅片、封装及印刷电路板的设计等。该课程将介绍Rambus所采用的并行设计方法。Rambus采用该方法优化物理层（PHY）及整个系统，以较低的成本实现性能突破，并开发出先进的高性能内存。

Rambus演示

TB级带宽计划

Rambus的TB级带宽计划所带来的最新技术能成就无与伦比的低功耗以及与单端（Single-Ended）存储架构（如GDDR5和DDR3）的兼容性。由于额外使用了FlexMode^TM接口技术，多模式系统芯片（SoC）内存接口物理层可以采用单一的系统芯片封装设计，而无需增添管脚。该物理层既支持差分信号，也支持单端信号。这次演示将展示Rambus TB级带宽计划节能的方法。在40纳米级工艺硅测试载具上以20Gbps运行时，该公司的TB级带宽计划已经成功地将功耗降至6mW/Gbps。

DDR3物理层开发方案

这一高性能、低成本的DDR3内存控制器接口解决方案是专门为消费电子产品而定制的。该解决方案标志着采用低成本线焊封装的工作硅片的数据速率首次达到1866MT/s。

Mobile XDR^TM内存架构

Mobile XDR内存是用于移动应用产品的最快、功耗最低的内存。Mobile XDR的数据速率可达3.2至4.3Gbps，功耗效率则低至空前的2.2mW/Gbps，因而是新一代智能电话、上网本、移动游戏及移动多媒体产品的理想之选。

关于Rambus Inc.

Rambus成立于1990年，是一家世界领先的技术授权企业。作为一家发明创新企业，Rambus主要致力于开发各种能给电子系统终端用户带来更丰富体验的技术。其突破性创新技术及解决方案助力业界领先的企业向市场上推出优质的产品。Rambus向其他公司进行授权的技术包括该公司的世界级专利组合以及堪称业界标准的一系列领先解决方案。Rambus总部设在加利福尼亚州桑尼维尔，在美国北卡罗来纳州、俄亥俄州、印度、德国、日本、韩国和台湾设有地区办事处。欲了解详情，请访问www.rambus.com。

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