简体中文 | 繁體中文 | English

Faraday

智原与英飞凌联手推出联电40uLP SONOS eFlash平台

2022-12-13 16:52
  • zh_cn
  • en

台湾新竹--(美国商业资讯)--ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)今日宣布与英飞凌合作推出SONOS嵌入式闪存(eFlash)平台于联电40纳米uLP制程。此平台包含新开发的eFlash子系统IP及完整的eFlash测试解决方案,具有容易整合、可快速存取闪存数据等优势,更可加速产品开发时程,协助客户更轻松地采用该闪存技术;并同时通过内置自检功能(BIST)来简化SONOS eFlash测试,为客户提供扎实的质量优势。

为满足人工智能、智能电网、物联网和MCU等应用对40纳米低功耗及数据安全的eFlash需求,智原联手英飞凌合作开发这套SONOS eFlash平台,主要包括闪存区块、控制器、以及新开发的eFlash子系统IP。其中子系统IP整合总线接口电路与频率整合电路等,并提供自动完成eFlash初始化、简化数据抹除与写入操作流程、以及对闪存的读写保护和模拟随机写入缓冲区等功能,协助客户轻易整合与使用SONOS eFlash IP。此外,内置BIST的子系统只需采用一般的检测仪器做测试,确保闪存量产时的质量及可靠性,并可减少检测时间。

英飞凌内存解决方案部资深总监Vineet Agrawal表示:“我们很高兴与智原合作,为客户开发这套SONOS eFlash平台。40uLP SONOS eFlash在过去几年已交付许多量产项目,未来结合智原完善的IP子系统、多元的IP产品和测试解决方案,我们相信可以协助智原的客户加快拓展高性能和低功耗产品。”

智原科技营运长林世钦表示:“英飞凌的SONOS eFlash技术已在40纳米制程中获得多项市场应用的验证。通过英飞凌在联电40uLP SONOS eFlash的优势,相较其它市面上的eFlash方案可使用更少的光罩层数而缩短生产周期。搭配此新平台和智原完全兼容于40uLP SONOS eFlash制程的丰富IP资源,可以进一步协助客户轻松实现新一代芯片设计的成本、功耗和性能需求。”

关于智原科技

智原科技(Faraday Technology Corporation, TWSE: 3035)为专用集成电路(ASIC)设计服务暨知识产权(IP)研发销售领导厂商,通过ISO 9001与ISO 26262认证,总公司位于台湾新竹科学园区,并于中国大陆、美国与日本设有研发、营销据点。重要的IP产品包括:I/O、标准单元库、Memory Compiler、兼容ARM指令集CPU、LPDDR4/4X、DDR4/3、MIPI D-PHY、V-by-One、USB 3.1/2.0、10/100 Ethernet、Giga Ethernet、SATA3/2、PCIe Gen4/3、28G可编程高速SerDes,以及数百个外设数字及混合讯号IP。更多信息,请浏览智原科技网站www.faraday-tech.com或关注微信号faradaytech。

在 businesswire.com 上查看源版本新闻稿: https://www.businesswire.com/news/home/20221213005016/zh-CN/

CONTACT:

新闻联络:
智原科技, 柯奕帆, +886 3 578 7888 ext. 88689, media@faraday-tech.com

分享到: