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TRANSPHORM

Transphorm推出采用Microchip数字信号处理技术的第二款图腾柱评估板

这款2.5 kW评估板的可更换子卡采用新型SuperGaN® Gen IV D2PAK FET,可快速切换至不同的功率级别

2021-12-02 10:00
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加州戈利塔--(美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布使用来自Microchip Technology的数字信号处理技术来拓展其设计工具。TDTTP2500B066B-KIT是一个2.5 kW的交流转直流无桥图腾柱功率因数校正(PFC)评估板。它是Transphorm的SuperGaN® FET与Microchip的dsPIC33CK数字信号控制器(DSC)板的强强联手之作,其中包括预编程固件,可以轻松地根据终端应用需求进行定制。这款新推出的评估板有助于更快地开发数据中心和广泛的工业电源。

新器件 + 新功能 = 更强的开发功能

TDTTP2500B066B-KIT现货供应,其中包含一个使用Transphorm最新的SuperGaN Gen IV器件TP65H050G4BS的子卡。TP65H050G4BS是一个采用TO-263 (D2PAK)封装的650 V SMD SuperGaN FET,导通电阻典型值为50毫欧。

这款新推出的评估板还引入了一个先进的功能,以提升其实用性:内部采用Transphorm GaN器件的可更换子卡。因此,设计工程师还可以通过第二个可选子卡(TDHB-65H070L-DC,需单独购买)来评估导通电阻72毫欧的TP65H070LDG/LSG GaN器件。这张子卡是50毫欧FET卡的简易替代元件。

与首款SuperGaN/Microchip DSC评估板(4 kW TDTTP4000W066C-KIT)一样,这款2.5 kW评估板也可以获得由Microchip全球技术支持团队提供的固件开发协助支持。

Microchip的MCU16事业部副总裁Joe Thomsen表示:“我们与Transphorm的持续合作为不断增长的GaN电源转换市场带来了创新型电源电子解决方案。Microchip通过智能集成解决方案在引领技术变革方面进行了大量投入。我们的数字信号处理器拥有强大的性能和灵活性,是满足基于GaN的电源转换应用苛刻要求的理想之选。”

Microchip的dsPIC® DSC由一套嵌入式设计工具提供支持,打造这些设计工具的目的就是增强开发人员(即便专业知识有限)的能力。这些工具可以在Microchip免费的MPLAB® X集成开发环境中为器件初始化提供直观的图形用户界面。同时,还有一整套编程器、调试器和仿真器附件为这些软件工具提供补充。

技术规格

Transphorm的TDTTP2500B066B-KIT中使用的DSC集成解决方案的特性如下:

  • 650 V 50 mΩ SuperGaN FET (TP65H050G4BS)
  • 输入电压:85 VAC至265 VAC,47Hz至63Hz
  • 输入电流:18 Arms;115VAC时1250 W,230 VAC时2500 kW
  • 输出电压:390 VDC± 5 VDC(可编程)
  • 空载时间:可编程
  • 脉宽调制(PWM)频率:66kHz
  • 功率因数:> 0.99

这款评估板是围绕Microchip的dsPIC33CK数字电源插入式模块(PIM)来设计的,用于控制PFC动力元件,具有以下预编程PIM功能:

  • Microchip获得AEC-Q100认证的dsPIC33CK256MP506数字信号控制器
  • 100 MIPS,可在注重时效性的控制应用中提供快速的确定性性能
  • 双闪存面板 - 在电源运行时,可以实时更新代码
  • 高模拟集成,从而降低物料清单(BOM)成本,尽可能精简系统尺寸
  • 250 ps分辨率的PWM

Microchip网站将提供dsPIC33CK PIM的固件更新下载

Transphorm全球技术营销和业务发展高级副总裁Philip Zuk表示:“我们正在通过消除设计挑战,简化开发,加快进入市场的速度,来确保我们的客户可以轻松利用我们GaN平台的优势。整合Microchip先进的DSC性能对实现这一目标至关重要。现在,我们可以提供最常见的功率级别的产品,GaN可通过预编程固件和可互换的GaN器件配置在两个功率级上为客户带来尽可能高的价值。”

供货情况

TDTTP2500B066B-KIT通过Digi-KeyMouser供应。

对评估Transphorm 70毫欧FET感兴趣的客户可以点击这里订购TDHB-65H070L-DC子卡。

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,该公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子器件突破硅的局限性,以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息,请访问www.transphormusa.com。欢迎在Twitter @transphormusa和在微信@ Transphorm_GaN上关注我们。

SuperGaN商标是Transphorm, Inc的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

原文版本可在businesswire.com上查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20211130005302/en/

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