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Toshiba 2019

东芝发布采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET,有助于提高大电流设备效率

2021-03-12 09:39
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东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,“东芝”)在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET:TK065U65ZTK090U65ZTK110U65ZTK155U65ZTK190U65Z。从今天开始批量出货。

此新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20210310005381/en/

TOLL是一种表面贴装型封装,所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装,能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文(Kelvin)连接。这种设计可减小封装中源极线电感的影响,进而发挥MOSFET实现高速开关的性能,并抑制开关时产生的振荡。与东芝现有产品TK090N65Z[1]相比,其导通开关损耗降低了约68%,关断切换损耗降低了约56%[2][3]。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器等工业设备的电源。

TOLL封装与最新[4]DTMOSVI工艺技术的结合扩展了产品阵容,覆盖了低至65mΩ(最大值)的低导通电阻[5]。东芝将继续采用TOLL封装工艺对产品进行改进,以减小设备尺寸并提高效率。

注:
[1]具有等效电压和导通电阻的DTMOSVI系列产品均采用无开尔文连接的TO-247封装工艺
[2]截至2021年3月10日,东芝测得的数值(测试条件:VDD=400V, VGG=+10V/0V, ID=15A, Rg=10Ω, Ta=25℃)。
[3]仅限TK090U65Z
[4]截至2021年3月10日
[5]仅限TK065U65Z

应用

  • 数据中心(服务器电源等)
  • 光伏发电机用电源调节器
  • 不间断电源系统

特性

  • 纤薄、小巧的表面贴装封装
  • 采用4引脚封装,可减少导通和关断的开关损耗
  • 最新[4]一代DTMOSVI系列

主要规格

(Ta=25°C)

器件型号

TK065U65Z

TK090U65Z

TK110U65Z

TK155U65Z

TK190U65Z

封装

名称

TOLL

尺寸典型值

 

(mm)

9.9x11.68, t:2.3

绝对最大额定值

漏极

 

源极

 

电压

 

VDSS (V)

650

漏极

 

电流

 

(DC)

 

ID (A)

38

30

24

18

15

漏源

 

导通电阻

 

RDS(ON)最大值(Ω)

 

@VGS=10V

0.065

0.09

0.11

0.155

0.19

栅极电荷总量

 

Qg典型值(nC)

62

47

40

29

25

栅极漏极电荷

 

Qgd典型值(nC)

17

12

11

8

7.1

输入电容

 

Ciss典型值(pF)

3650

2780

2250

1635

1370

结壳

 

热阻

 

Rth(ch-c)最大值(℃/W)

0.462

0.543

0.657

0.833

0.961

常规系列(DTMOSIV)

 

器件型号

-

-

-

TK20G60W[6]

TK16G60W[6]

样品查看与供货状态

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注:
[6]VDSS=600V,D2PAK封装

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一身。自2017年7月成为一家独立公司以来,公司已跻身领先的通用设备公司之列,并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。

公司在全球各地的2.4万名员工同心同德,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。公司期待在目前超过7500亿日元(68亿美元)的年度销售额基础上再接再厉,为全人类创造更加美好的未来。
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原文版本可在businesswire.com上查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20210310005381/en/

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媒体咨询:
Chiaki Nagasawa
数字营销部
东芝电子元件及存储装置株式会社
电话:+81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

东芝:采用TOLL封装的DTMOSVI系列650V超级结功率MOSFET(图示:美国商业资讯)

东芝:采用TOLL封装的DTMOSVI系列650V超级结功率MOSFET(图示:美国商业资讯)

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