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东芝面向高效电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超结N沟道功率MOSFET

2017-01-23 11:38
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东京--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO: 6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向高效电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超结N沟道功率MOSFET。“DTMOS IV系列”的八款新MOSFET利用超结结构,与东芝之前的“π-MOSVIII系列”相比,其可将其单位面积导通电阻(RON x A)降低近79%。 该系列产品改进的高速开关还有助于提高使用该系列产品的芯片组的电源效率。这些MOSFET适用于工业电源,服务器、笔记本电脑适配器和充电器以及移动设备的备用电源以及LED照明灯具的电源。出货即日启动。

这份智能新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅:http://www.businesswire.com/news/home/20170120005137/en/

 

新MOSFET产品阵容及主要规格:

(@Ta=25°C)

产品
型号

 

封装

 

绝对最大
额定值

 

RDS(ON)
@VGS=10 V
(Ω)

 

Qg典型值
@VDD≈640 V,
VGS=10 V,
ID=最大
额定值
(nC)

 

Ciss典型值
@VDS=300 V,
VGS=0 V,
f=1 MHz
(pF)

   

VDSS
@
ID=10 mA
(V)

 

ID
(A)

     

TK17A80W

 

TO-220SIS

 

800

 

17

 

0.29

 

32

 

2050[1]

TK12A80W

 

TO-220SIS

 

800

 

11.5

 

0.45

 

23

 

1400

TK10A80W

 

TO-220SIS

 

800

 

9.5

 

0.55

 

19

 

1150

TK7A80W

 

TO-220SIS

 

800

 

6.5

 

0.95

 

13

 

700

TK17E80W

 

TO-220

 

800

 

17

 

0.29

 

32

 

2050[1]

TK12E80W

 

TO-220

 

800

 

11.5

 

0.45

 

23

 

1400

TK10E80W

 

TO-220

 

800

 

9.5

 

0.55

 

19

 

1150

TK7E80W

 

TO-220

 

800

 

6.5

 

0.95

 

13

 

700

[1] 测量条件f=100 kHz

 

有关新产品和东芝中高电压功率MOSFET产品阵容的更多信息,请访问如下链接:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/hv-mosfet.html

 

客户垂询:
功率器件销售与营销部
电话:+81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

 

本新闻稿中的信息,包括产品价格和规格、服务内容以及联系信息仅反映截至本新闻稿发布之日的情况,如有变动,恕不另行通知。

 

关于东芝

东芝公司是一家《财富》全球500强公司,致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于三大重点业务领域:更为清洁和安全的维持日常生活的能源业务;保持生活质量的基础设施业务;以及实现先进的信息社会的存储业务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下,东芝竭力推动全球业务,并致力于实现一个让子孙后代可以享有更加美好的生活的世界。

东芝于1875年在东京成立,如今已成为一家有着550家附属公司的环球企业,全球拥有超过188,000名员工,年销售额逾5.6万亿日元(500亿美元)。(截至2016年3月31日。)
有关东芝的更多信息,请访问www.toshiba.co.jp/index.htm

 

原文版本可在businesswire.com上查阅:http://www.businesswire.com/news/home/20170120005137/en/

 

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

 

联系方式:

媒体垂询:
东芝公司
存储与电子元器件解决方案公司
数字营销部
Koji Takahata, +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

东芝:面向高效电源推出的具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超结N沟道功率MOSFET(照片:美国商业资讯)

东芝:面向高效电源推出的具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超结N沟道功率MOSFET(照片:美国商业资讯)

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