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TRANSPHORM

Transphorm推出六款可與e-mode設備實現引腳對引腳相容的SuperGaN FET產品

全新產業標準的PQFN封裝可透過d-mode GaN輕鬆實現更高效能的直接替換

2023-05-04 07:07
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加利福尼亞州戈利塔--(美國商業資訊)--Transphorm, Inc. (Nasdaq:TGAN)是一家提供高可靠性、高效能氮化鎵(GaN)功率轉換產品的領軍企業和全球供應商。該公司今日宣布推出六款採用產業標準PQFN 5x6和8x8封裝的表面黏著元件(SMD)。歸功於Transphorm專利SuperGaN® d-mode雙開關常閉式平臺,這些SMD具有可靠性和性能優勢,並採用為競爭產品e-mode GaN元件常用的封裝組態。因此,這六款設備可在e-mode GaN解決方案中輕鬆用作第一設計來源,或用作引腳對引腳相容的直接替換和/或第二設計來源。

對於需要SuperGaN平臺提供額外熱效能的電力系統,Transphorm還提供經最佳化的高效能封裝SMD。不論何種封裝,考慮到d-mode組態使用的是與GaN HEMT配對的低壓碳化矽(SiC) MOSFET,所有Transphorm元件均具有易於設計和驅動的特點。該平臺組態還允許使用標準的現成控制器和/或驅動器,進而提高了Transphorm系列產品的卓越驅動性與可設計性。

Transphorm業務開發兼行銷資深副總裁Philip Zuk表示:「Transphorm持續生產強大的GaN元件組合,涵蓋了當今最廣泛的功率範圍。我們透過推出這些產業標準封裝鞏固了公司的低功率策略,而這些都遵循最近宣布的與Weltrend Semiconductors共同開發的 SiP。無論是透過高效能封裝、引腳對引腳e-mode相容的產業標準封裝,抑或是系統級封裝,客戶現在可選擇如何利用SuperGaN的優勢。」

SuperGaN直接替換的優勢

經證明,採用SuperGaN d-mode FET替換e-mode FET元件能夠降低傳導損耗,提供更高的效能與更低的工作溫度,從而實現更長的使用壽命可靠性。這是由於與e-mode GaN常閉式設備相比,d-mode GaN常閉式設備從根本上具有內在優勢。最近的一次直接比較便可為此提供證明,該測試用72 mΩ SuperGaN技術替換了280 W遊戲筆記型電腦充電器中的50 mΩ e-mode設備:https://bit.ly/diraztbISP

在充電器分析中,SuperGaN FET可在控制器的輸出電壓範圍內工作(而e-mode需要電平轉換),且溫度更低。SuperGaN的電阻溫度係數(TCR)比e-mode低約25%,有助於降低傳導損耗。此外,周邊元件數量減少了20%,表明物料成本亦更低。

產業標準的SMD系列產品

Transphorm的產業標準PQFN設備清單如下:

元件 導通電阻(毫歐) 封裝
TP65H070G4LSGB 72 PQFN88
TP65H150BG4JSG 150 PQFN56
TP65H150G4LSGB 150 PQFN88
TP65H300G4JSGB 240 PQFN56
TP65H300G4LSGB 240 PQFN88
TP65H480G4JSGB 480 PQFN56
 

這些設備共用的主要特點包括:

  • 符合JEDEC標準
  • 經過測試的動態RDS(on)eff生產
  • 市場領先的穩健設計、高閘極安全裕度、瞬態過電壓能力
  • 極低的反向恢復電荷(QRR)
  • 降低的交叉損耗

目標應用

72 mΩ FET的最佳化設計可用於數據通訊、廣泛的工業範圍、太陽能光電逆變器、伺服馬達、計算系統以及普通消費類應用。

150、240和480 mΩ FET的最佳化設計適用於電源配接器、低功率交換式電源供應器、照明與低功耗消費類應用。

供貨情況

所有產業標準設備目前均提供樣品,可在此處申請:https://www.transphormusa.com/en/products/#sampling

關於Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者,致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高效能、高可靠性氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一,持有或取得授權的專利超過1000多項,在業界率先生產經 JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式,公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新:設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新使電力電子設備突破矽的局限性,以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔,並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊,請造訪www.transphormusa.com。歡迎在Twitter@transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關注我們。

SuperGaN標誌是Transphorm, Inc.的註冊商標。所有其他商標是其各自所有者的財產。

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Heather Ailara  
+1.973.567.6040  
heather.ailara@transphormusa.com

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