東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(TDSC)推出六款採用碳化矽(SiC)製造的肖特基勢壘二極體(SBD)，以此增強了公司的二極體產品陣容。這些新產品採用表面黏著型封裝。量產出貨即日啟動。               

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截至目前，東芝電子元件及儲存裝置株式會社一直專注於採用直插式封裝的SiC SBD。東芝電子元件及儲存裝置株式會社新推出的第一款採用表面黏著型封裝（又稱DPAK）的SiC SBD滿足了客戶減小系統尺寸和厚度的需求。

新的SiC SBD整合了東芝的最新第二代晶片，該晶片在正向浪湧電流峰值(I_FSM)和品質因子(V_F•Q_c^*1)方面實現了改進。這些元件提供更強的耐用度和低損耗，有助於提高系統效率和簡化散熱設計。

東芝電子元件及儲存裝置株式會社將繼續拓展其產品陣容，以幫助提高系統效率並減小通訊設備、伺服器、逆變器和其他產品的尺寸。

特點

• 高正向浪湧電流峰值：約為額定電流的7-9.5倍，I_F(DC)。
• 低品質因子(V_F•Q_c)：約比第一代產品低1/3，意味著高效率。
• 表面黏著型封裝：支援自動黏著，有助於減小系統尺寸和厚度。

應用場合

這些新SiC SBD適合一系列廣泛的商業和工業應用，包括高效率電源中的PFC電路。

• 消費品和辦公產品：大螢幕4K LCD及OLED電視機、投影機、多功能影印機等的電源。
• 工業設備：電信基地台、電腦伺服器、太陽能微型逆變器等的電源。
• 電路：功率因數校正(PFC)電路、微型逆變器電路、切斷器電路（數百瓦特或更高功率的各種電源）。
• 開關設備續流二極體。

註：
[1] Q_c:0.1V至400V之間的電容C_j的電荷量。

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東芝電子元件及儲存裝置株式會社：採用DPAK表面黏著型封裝的第二代650V碳化矽肖特基勢壘二極體。（照片：美國商業資訊）