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Toshiba 2019

Toshiba推出採用新型封裝的車用40V N通路功率MOSFET,有助於汽車設備實現高散熱和小型化

2023-08-17 22:53
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日本川崎--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下簡稱「Toshiba」) 推出了兩款車用40V N通路功率MOSFET,分別為「XPJR6604PB」和「XPJ1R004PB」,它們使用了Toshiba的新型S-TOGL™ (小型電晶體輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝晶片。兩款產品與今日開始批量出貨。

本新聞稿包含多媒體資訊。完整新聞稿請見此: https://www.businesswire.com/news/home/20230816441671/zh-HK/

自動駕駛系統等安全關鍵應用程式透過冗餘設計確保可靠性,因此與標準系統相比,它們整合了更多的裝置,需要更多的表貼空間。因此,需要進一步縮小汽車設備的尺寸,需要能够在高電流密度下表貼的功率MOSFET。

XPJR6604PB和XPJ1R004PB採用Toshiba的新型S-TOGL™封裝(7.0mm×8.44mm[1]),其特點是採用無接線柱結構,將源極連接件和外部引腳一體化。源級引腳的多針結構降低了封裝電阻。

與具有相同熱阻特性的Toshiba TO-220SM (W)封裝產品[2]相比,S-TOGL™封裝與Toshiba U-MOS IX-H工藝相結合,可實現導通電阻顯著降低11%。與TO-220SM(W) 封裝相比,新型封裝還將所需的表貼面積減少了大約55%。此外,採用新型封裝的產品可提供200A漏極額定電流,高於Toshiba類似尺寸的DPAK+封裝(6.5mm×9.5mm[1])產品,從而實現了大電流。總體而言,S-TOGL™封裝可實現高密度和緊湊佈局,縮小汽車設備的尺寸,並有助於實現高散熱。

由於汽車設備可能在極端溫度環境下工作,因此表面貼裝焊點的可靠性是一個關鍵考慮因素。S-TOGL™封裝採用鷗翼式引腳,可降低表貼應力,提高焊點的可靠性。

當需要並聯多個器件為應用提供更大工作電流時,Toshiba支援這兩款新產品按柵極閾值電壓分組出貨[3]。這樣可以確保設計使用同一組別的產品,從而減小特性偏差。

Toshiba將繼續擴展其功率半導體產品線,並通過使用者友好型、高效能功率器件為實現碳中和做出貢獻。

應用

  • 汽車設備:逆變器、半導體繼電器、負載開關、馬達驅動等

特性

  • 新型S-TOGL™ 封裝:7.0mm×8.44mm(典型值)
  • 高標稱漏極電流:

XPJR6604PB:ID=200A
XPJ1R004PB:ID=160A

  • AEC-Q101認證
  • 提供IATF 16949/PPAP[4]
  • 低導通電阻:

XPJR6604PB:RDS(ON)=0.53mΩ (典型值) (VGS=10V)
XPJ1R004PB:RDS(ON)=0.8mΩ (典型值) (VGS=10V)

註:

[1] ]典型封裝尺寸,包括引腳。
[2] TKR74F04PB採用TO-220SM (W)封裝。
[3] Toshiba可以提供分組出貨,每卷產品的柵極閾值電壓浮動範圍為0.4V。但是不允許指定特定組別。請聯絡Toshiba銷售代表瞭解更多資訊。
[4] 請聯絡Toshiba銷售代表瞭解更多資訊。

主要規格

 

新產品

現有產品

器件型號

XPJR6604PB

XPJ1R004PB

TKR74F04PB

TK1R4S04PB

極性

N通路

系列

U-MOS IX-H

封裝

名稱

S-TOGL™

TO-220SM(W)

DPAK+

尺寸 (mm)

典型值

7.0×8.44,t=2.3

10.0×13.0,t=3.5

6.5×9.5,t=2.3

絕對最大額定值

漏極-源極電壓 VDSS (V)

40

漏極電流 (DC) ID (A)

200

160

250

120

漏極電流 (脈衝) IDP (A)

600

480

750

240

結溫 Tch (°C)

175

電氣特性

漏極-源極導通電阻

RDS(ON) (mΩ)

VGS=10V

最大值

0.66

1.0

0.74

1.35

結殼熱阻

Zth(ch-c) (°C/W)

Tc=25°C

最大值

0.4

0.67

0.4

0.83

如需瞭解有關新產品的更多資訊,請造訪:

XPJR6604PB
XPJ1R004PB

如需瞭解Toshiba車用MOSFET的更多資訊,請造訪:
車用MOSFET

* S-TOGL™是Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation的商標。
* 其他公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
* 本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯繫方式等資訊,在公告之日仍為最新資訊,但如有變更,恕不另行通知。

關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進電晶體和儲存解決方案的領先供應商,藉由半個多世紀的經驗和創新,為客戶和商業合作夥伴提供卓越的分立電晶體、系統LSI和HDD產品。
公司在世界各地的21,500名員工都決心最大限度地提高產品價值,並促進與客戶的密切合作,共同創造價值和新市場。隨著年銷售額接近8000億日元 (61億美元),Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待著為世界各地的人們營建一個更美好的未來。
若要瞭解詳細資訊,請造訪https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

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Toshiba:採用新型封裝的車用40V N通路功率MOSFET,有助於實現汽車設備的高散熱和小型化。(圖片:美國商業資訊)

Toshiba:採用新型封裝的車用40V N通路功率MOSFET,有助於實現汽車設備的高散熱和小型化。(圖片:美國商業資訊)

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