简体中文 | 繁體中文 | English

T/toshiba

东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET

- 新器件进一步提高电源效率

2018-08-21 10:21
  • 简体
  • 繁体
  • English

东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出新系列的下一代650V功率MOSFET,用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。

此新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20180819005032/en/

TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件,是一款支持高达57A连续漏极电流(ID)的650V器件,而出现脉冲电流(IDP)时,可支持高达228A的连续漏极电流。该款新器件提供0.04Ω(0.033Ω典型值)超低漏源极导通电阻RDS(ON),可有效减少电源应用中的损耗。得益于更低的电容设计,该款增强型器件成为现代高速电源应用的理想之选。

关键性能指标/品质因数(FoM) – RDS(ON) x Qgd的降低使得电源效率得到提高。与上一代DTMOS IV-H器件相比,TK040N65Z的这一重要指标提升40%,这意味着电源效率显著提高,据测量,2.5kW PFC电路中电源效率提高大约0.36%[1]

该款新器件采用业界标准的TO-247封装,既实现了与旧版设计的兼容性,也适用于新项目。

为满足市场需求,东芝将继续扩大其产品阵容并帮助提高电源和电源系统的效率。

该款新器件的批量生产和出货即日启动。

应用场合

  • 数据中心(服务器电源等)
  • 光伏发电机功率调节器
  • 不间断电源系统

特点

  • RDS(ON) × Qgd降低,支持开关电源提高效率

 

主要规格

(@Ta=25oC)

产品型号

 

封装

 

绝对

最大额定值

 

漏源极

导通电阻

RDS(ON)最大值

@VGS=10 V

(Ω)

 

栅极

电荷

Qg

典型值

(nC)

 

栅漏电荷

Qgd

典型值

(nC)

 

输入

电容

Ciss

典型值

(pF)

 

上一代

系列

(DTMOS IV-H)

产品

型号

 

库存查询

与购买

   

源极

电压

VDSS

(V)

 

漏极

电流

(直流)

ID

(A)

           

TK040N65Z

 

TO-247

 

650

 

57

 

0.040

 

105

 

27

 

6250

 

TK62N60X

 

在线购买

 

注:
[1] 截至2018年6月,东芝测量值(2.5kW PFC电路@输出功率=2.5kW)。

有关东芝400-900V MOSFET产品阵容的更多信息,请访问以下链接:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/hv-mosfet.html

请访问以下链接,查看线上分销商处的新产品供应信息:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TK040N65Z.html

客户垂询:
功率器件销售与营销部
电话:+81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

本新闻稿中的信息,包括产品价格和规格、服务内容以及联系信息仅反映截至本新闻稿发布之日的情况,如有变动,恕不另行通知。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一身。自2017年7月成为一家独立公司以来,我们已跻身领先的通用设备公司之列,并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。

公司遍布全球的1.9万名员工同心同德,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。我们期待在目前超过7000亿日元(60亿美元)的年度销售额基础上再接再厉,为全球人类创造更加美好的未来。
有关公司的更多详情,请访问https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

原文版本可在businesswire.com上查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20180819005032/en/

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

联系方式:

媒体垂询:
东芝电子元件及存储装置株式会社
Chiaki Nagasawa,+81-3-3457-4963
数字营销部
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

东芝:DTMOS VI系列中的首款器件——新一代超结功率MOSFET“TK040N65Z”(照片:美国商业资讯)

东芝:DTMOS VI系列中的首款器件——新一代超结功率MOSFET“TK040N65Z”(照片:美国商业资讯)

分享到: