東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用於資料中心伺服器電源、太陽能(PV)功率調節器、不斷電系統(UPS)和其他工業應用。

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TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款元件，是一款支援高達57A連續漏極電流(I_D)的650V元件，而出現脈衝電流(I_DP)時，可支援高達228A的連續漏極電流。該款新元件提供0.04Ω（0.033Ω典型值）超低漏源極導通電阻R_DS(ON)，可有效減少電源應用中的損耗。歸功於更低的電容設計，該款增強型元件成為現代高速電源應用的理想之選。

關鍵效能指標/品質因數(FoM) – R_DS(ON) x Q_gd的降低使得電源效率得到提高。與上一代DTMOS IV-H元件相比，TK040N65Z的這一重要指標提升40%，這意味著電源效率顯著提高，據測量，2.5kW PFC電路中電源效率提高大約0.36%^[1]。

該款新元件採用業界標準的TO-247封裝，既實現了與舊版設計的相容性，也適用於新專案。

為滿足市場需求，東芝將繼續擴大其產品陣容並幫助提高電源和電源系統的效率。

該款新元件的量產和出貨即日啟動。

應用場合

• 資料中心（伺服元電源等）
• 太陽能發電機功率調節器
• 不斷電系統

特點

• R_DS(ON) × Q_gd降低，支援開關電源提高效率

註：
[1] 截至2018年6月，東芝測量值（2.5kW PFC電路@輸出功率=2.5kW）。

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東芝：DTMOS VI系列中的首款元件——新一代超接合功率MOSFET TK040N65Z（照片：美國商業資訊）