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东芝开发出散热性能更强的40V N沟道功率MOSFET

- 新封装提供双面散热,有效改善散热。

2018-08-01 12:26
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东京--(美国商业资讯)--八月,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)将启动面向汽车应用的40V N沟道功率MOSFET——“TPWR7904PB”和“TPW1R104PB”的量产和出货。其采用双面散热、低电阻、小型DSOP Advance(WF)封装。

此新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20180730005834/en/

这些新产品在“DSOP Advance”(WF)封装中安装U-MOS IX-H系列芯片——采用最先进沟槽结构的MOSFET,实现高散热性和低导通电阻特性。导通损耗所产生的热量得到有效消散,因此散热设计灵活性得到提高。

与东芝之前的U-MOS IV系列相比,U-MOS IX-H系列还实现了更小的开关噪声,有助于降低电磁干扰(EMI)[1]
“DSOP Advance(WF)”封装采用可沾锡侧翼端子结构[2]

应用场合
- 电动助力转向系统
- 负载开关
- 电动泵

特点
- 符合AEC-Q101标准,适用于汽车应用场合
- 采用顶板(top plate)[3]和漏极的双面散热封装
- 可沾锡侧翼结构有助于提高AOI可见性
- U-MOS IX-H系列具备低导通电阻和低噪音特性

 

主要规格

 (@Ta=25 ℃)

产品
型号

 

绝对
最大额定值

 

漏源极
导通电阻
RDS(ON)最大值(mΩ)

 

栅源极
之间
内置
稳压二极管

 

系列

 

封装

 


源极
电压
VDSS
(V)

 

漏极
电流
(直流)
ID
(A)

       
     

@VGS=6 V

 

@VGS=10 V

     

TPWR7904PB

 

40

 

150

 

1.3

 

0.79

 

 

U-MOSⅨ-H

 

DSOP
Advance(WF)L

TPW1R104PB

 

 

120

 

1.96

 

1.14

 

 

 

DSOP
Advance(WF)M

 

注:
[1] EMI(电磁干扰)
[2] 可沾锡侧翼端子结构:一种端子结构,支持在电路板上进行安装的自动光学检测(AOI)。
[3] 请注意,该顶板与源极电势相同,但不能用于电极。

有关东芝MOSFET产品阵容的更多信息,请访问如下链接:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet.html

客户垂询:
功率器件销售与营销部
电话:+81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一身。自2017年7月成为一家独立公司以来,我们已跻身领先的通用设备公司之列,并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。

公司遍布全球的1.9万名员工同心同德,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。我们期待在目前超过7000亿日元(60亿美元)的年度销售额基础上再接再厉,为全球人类创造更加美好的未来。
有关公司的更多详情,请访问https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

原文版本可在businesswire.com上查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20180730005834/en/

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Chiaki Nagasawa,+81-3-3457-4963
数字营销部
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

东芝:面向汽车应用的40V N沟道功率MOSFET“TPWR7904PB”,其采用双面散热的新封装,可有效改善散热。(照片:美国商业资讯)

东芝:面向汽车应用的40V N沟道功率MOSFET“TPWR7904PB”,其采用双面散热的新封装,可有效改善散热。(照片:美国商业资讯)

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