采用"DPAK+"封装，适用于高速开关
东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)已推出一款100V的低导通电阻、低漏电型功率MOSFET。该产品采用最新的沟道MOS工艺打造，成为汽车专用系列中的最新成员。新产品"TK55S10N1"的导通电阻较低，搭载以最新的第八代沟道MOS工艺打造的"U-MOS VIII-H系列"芯片，并采用配以铜连接器的"DPAK+"封装。该产品主要适用于汽车应用，尤其是开关稳压器等需要高速开关的汽车应用。该产品现已推出样品，并计划于2013年4月投入量产。
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极性 |
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产品型号 |
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漏极到源极电压 |
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漏极电流 |
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系列 |
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通道号 |
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TK55S10N1 |
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100 |
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55 |
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U-MOS VIII-H |
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主要特性 |
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1. |
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低导通电阻(VGS=10V) |
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RDS(ON) = 5.5mΩ（标准值） |
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2. |
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低漏电电流IDSS=10μA（最大值）（VDS=额定电压） |
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3. |
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"DPAK+"封装，通过利用铜连接器实现低导通电阻。 |
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*通过下方链接了解该产品详情。http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1268301_2470.html
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关于东芝
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东芝成立于1875年，如今运营有一个由550多家各级公司组成的全球网络，在全球拥有202,000名员工，年销售额逾6.1万亿日元（约合740亿美元）。请访问东芝网站：www.toshiba.co.jp/index.htm
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东芝低导通电阻N沟道功率MOSFET（照片：美国商业资讯）
