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Toshiba 2019

東芝新推出的1200V和1700V碳化矽MOSFET模組幫助實現尺寸更小、更高效率的工業設備

2022-01-27 14:00
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日本川崎--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(「東芝」)已推出兩款碳化矽(SiC) MOSFET雙模組:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3;額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。這是東芝首款具有此類電壓等級的產品,與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V元件的陣容。

此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20220125005489/en/

新模組在安裝方式上與廣泛使用的矽(Si) IGBT模組相容。其低能量損耗特性滿足了工業設備對更高效率和更小尺寸的需求,如軌道車輛的轉換器和逆變器,以及可再生能源發電系統。

應用

  • 軌道車輛的逆變器和轉換器
  • 可再生能源發電系統
  • 馬達控制設備
  • 高頻DC-DC轉換器

特點

  • 安裝方式相容Si IGBT模組
  • 損耗低於Si IGBT模組

 

MG600Q2YMS3
VDS(on)sense =0.9V(典型值)@ID=600A,Tch=25°C
Eon=25mJ(典型值),Eoff=28mJ(典型值) @VDS=600V,ID=600A,Tch=150°C

 

MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ(典型值),Eoff=27mJ(典型值)@VDS=900V,ID=400A,Tch=150°C

 

  • 內建NTC熱敏電阻

主要規格

(除非另有規定,否則@Tc=25°C)

組件編號

MG600Q2YMS3

MG400V2YMS3

封裝

2-153A1A

絕對

 

最大

 

額定值

漏級-源級電壓VDSS (V)

1200

1700

閘級-源級電壓VGSS (V)

+25/-10

+25/-10

   漏極電流 (DC) ID (A)

600

400

漏極電流(脈衝)IDP (A)

1200

800

溝道溫度Tch (°C)

150

150

隔離電壓Visol (Vrms)

4000

4000

電氣

 

特性

漏級-源級導通電壓(感應)

 

VDS(on)sense典型值(V)

@VGS =+20V,

 

Tch=25°C

0.9

 

@ID=600A

0.8

 

@ID=400A

源級-漏級導通電壓(感應)

 

VSD(on)sense典型值(V)

@VGS =+20V,

 

Tch=25°C

0.8

 

@IS=600A

0.8

 

@IS=400A

源級-漏級關斷電壓(感應)

 

VSD(off)sense典型值(V)

@VGS =-6V,

 

Tch=25°C

1.6

 

@IS=600A

1.6

 

@IS=400A

開通損耗Eon typ. (mJ)

 

Eon典型值(mJ)

@Tch=150°C

25

 

@ VDS=600V,

 

ID=600A

28

 

@VDS=900V,

 

ID=400A

關斷損耗Eoff typ. (mJ)

 

Eoff典型值(mJ)

@Tch=150°C

28

 

@ VDS=600V,

 

ID=600A

27

 

@VDS=900V,

 

ID=400A

熱敏電阻特性

額定NTC電阻R典型值(kΩ)

5.0

5.0

NTC B值 B典型值(K)

@TNTC=25 - 150°C

3375

3375

請點選下面的連結,瞭解更多關於新產品的更多資訊。
MG600Q2YMS3
MG400V2YMS3

請點選下方連結,瞭解更多關於東芝SiC功率元件的更多資訊。
SiC功率元件

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關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社
東芝電子元件及儲存裝置株式會社是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商,憑藉半個多世紀的經驗和創新,為客戶和商業夥伴提供卓越的離散半導體、系統lsi和hdd產品。
公司在全球各地的2.2萬名員工同心同德,竭力實現公司產品價值的最大化,同時重視與客戶的合作,促進價值和新市場的共同創造。東芝電子元件及儲存裝置株式會社期待在目前超過7,100億日圓(65億美元)的年度銷售額基礎上再接再厲,為全人類創造更加美好的未來。
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原文版本可在businesswire.com上查閱:

https://www.businesswire.com/news/home/20220125005489/en/

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東芝電子元件及儲存裝置株式會社
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semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

東芝公司:1200V和1700V的碳化矽(SiC) MOSFET模組支援體積更小、更高效率的工業設備。(圖片:美國商業資訊)

東芝公司:1200V和1700V的碳化矽(SiC) MOSFET模組支援體積更小、更高效率的工業設備。(圖片:美國商業資訊)

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