東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）已推出搭載高效率靜電放電保護的雙MOSFET SSM6N813R，該產品適用於需要耐高電壓和小尺寸的汽車應用，包括LED頭燈驅動器IC。量產出貨將於四月啟動。
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100V的最大漏源極電壓(VDSS)可確保SSM6N813R適用於需要多個LED的頭燈應用，高靜電放電抗擾度為這一能力提供支援。SSM6N813R採用最新製程製造，使用 TSOP6F封裝，具備1.5W的允許功耗和低導通電阻。此外，TSOP6F的封裝尺寸比SOP8封裝小70%。
應用場合
- 汽車LED頭燈驅動器
特點
- 小型封裝
- 高效率靜電放電保護
- 低RDS(ON)
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主要規格 |
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(@Ta=25℃) |
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項目 |
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SSM6N813R |
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絕對最大額定值 |
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漏源極電壓 |
100 |
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閘源極電壓 |
+/-20 |
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漏極電流 |
3.5 |
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電氣特性 |
漏源極導通電阻 |
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VGS=10V |
112 |
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VGS=4.5V |
154 |
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輸入電容 |
242 |
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封裝 |
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TSOP6F |
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2.9mm×2.8mm；t=0.8mm |
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東芝：搭載高效率靜電放電保護的雙MOSFET SSM6N813R，該產品適用於汽車應用，包括LED頭燈驅動器IC。（照片：美國商業資訊）
東芝：雙MOSFET SSM6N813R標記電路和等效電路（圖片：美國商業資訊）
