東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日宣布研發出新一代TarfSOITM（東芝先進的RF SOI[1]）製程——TaRF10，該製程經最佳化適用於智慧型手機應用中的低雜訊放大器(LNA)。
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近年來，行動數據通訊的快速發展使得射頻開關和濾波器在行動裝置類比前端中得到了廣泛應用。從而導致天線與接收器電路之間的訊號損耗增加，使得接收器靈敏度下降，而低雜訊係數[2](NF)的LNA成為補償訊號損耗和提高接收訊號完整性的關鍵。
東芝電子元件及儲存裝置株式會社已利用其全新的TaRF10製程成功研發出LNA原型機，該原型機可在1.8GHz頻率下實現0.72dB的卓越雜訊係數和16.9dB的增益[3]。
行動裝置在接收器電路中使用大量射頻開關和LNA，因此需減少電路尺寸來減少對基板面積的佔用。目前，LNA通常使用矽鍺碳(SiGe:C)雙極電晶體，這使得在同一晶片上整合採用不同製程製造的LNA和射頻開關非常困難。
由於TaRF10新製程與製造射頻開關的TaRF8和TaRF9製程高度相容，可確保卓越的射頻特性，因此可在單一晶片上實現LNA、控制電路和射頻開關的整合。與TaRF8相比，TaRF9實現了更低的插入損耗和訊號失真。如今，東芝電子元件及儲存裝置株式會社計劃在市場上推出搭載整合式射頻開關的LNA。
東芝電子元件及儲存裝置株式會社利用旗下子公司Japan Semiconductor Corporation採用最新的SOI-CMOS技術成功研發出射頻IC，公司有能力實施從射頻製程技術研發到設計和製造的全部生產流程，可確保產品快速上市。
該公司將繼續利用尖端技術進一步改進TarfSOITM製程特性並研發射頻IC，以滿足下一代5G智慧型手機的市場需求。
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表1.LNA的主要規格 |
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模式 |
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採用TaRF 10 |
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單位 |
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晶片尺寸 |
- |
0.70×0.43 |
Mm |
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頻率 |
- |
1.8 |
GHz |
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電源電壓 |
- |
1.8 |
V |
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電源電流 |
增益模式 |
7.4 |
mA |
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旁路模式 |
50 |
μA |
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控制電壓 |
增益模式 |
1.8 |
V |
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|
旁路模式 |
0 |
V |
||||
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增益 |
增益模式 |
16.9 |
dB |
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|
旁路模式 |
-1.6 |
dB |
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|
NF |
增益模式 |
0.72 |
dB |
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|
回波損耗（輸入） |
增益模式 |
8.4 |
dB |
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|
回波損耗（輸出） |
增益模式 |
12.1 |
dB |
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反向隔離 |
增益模式 |
26.5 |
dB |
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|
IP1dB |
增益模式 |
-8.9 |
dBm |
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IIP3 |
|
增益模式 |
|
4.3 |
|
dBm |
|
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註：
[1] TarfSOITM（東芝先進的RF SOI）：東芝獨一無二的絕緣矽互補金屬氧化物半導體(SOI-CMOS)前端製程
[2] 雜訊係數：輸出端訊號雜訊比和輸入端訊號雜訊比的比值。雜訊係數越低，放大器自身雜訊則越低，因此雜訊係數越低越好。
[3] 增益：放大器輸出功率與輸入功率的比值，用dB表示
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東芝電子元件及儲存裝置株式會社：採用TaRF10製程製造的LNA的外觀（照片：美國商業資訊）
東芝電子元件及儲存裝置株式會社：LNA功能方塊圖（圖片：美國商業資訊）
