東京--(美國商業資訊)--記憶體解決方案全球領導者東芝記憶體株式會社今日已啟動其通用快閃記憶體(UFS)設備^[1]的樣品生產，該設備採用東芝記憶體株式會社尖端的64層BiCS FLASH™3D快閃記憶體。^[2] 全新的UFS設備可滿足需要高速讀取和寫入性能及低功耗應用的性能需求，例如智慧型手機和平板電腦等行動裝置以及擴增實境和虛擬實境系統。

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該新系列將提供四種儲存容量：32GB、64GB、128GB和256GB。^[3] 這些設備均在符合JEDEC標準的單一11.5 x 13mm封裝中整合了快閃記憶體和控制器。該控制器執行錯誤校正、耗損平均、邏輯位址轉實體位址以及瑕疵區塊管理等功能，便於使用者簡化系統開發。

全部四款設備均符合JEDEC UFS Ver2.1標準，包含HS-GEAR3，每個通道理論介面速度最高可達5.8Gbps（2通道=11.6Gbps），同時不會增加功耗。64GB設備的循序讀取和寫入性能^[4]分別為900MB/s和180MB/s，而隨機讀取和寫入性能分別比上一代設備^[5]提高了約200%和185%。由於採用序列介面，UFS支援全雙工，支援在主機處理器和UFS設備之間進行並行讀取和寫入。

* 本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱均為其各自公司的商標。

註
[1] 通用快閃記憶體(UFS)是一種產品類別，即一類根據JEDEC UFS標準規範生產的嵌入式記憶體產品。
[2] 64GB設備樣品出貨即日啟動，該系列其他產品將在12月之後陸續啟動樣品出貨。
[3] 產品儲存密度依據產品內建的記憶體晶片密度來確定，而非最終使用者資料儲存的可用記憶體容量。由於額外負荷資料區域、格式設定、瑕疵區塊及其他制約因素，使用者可用容量會減少，根據不同的主機設備和應用程式，使用者可用容量可能也會有所差異。請參考適用的產品規格瞭解詳情。
[4] 讀取和寫入速度按照1MB/s = 1,000,000位元組/秒計算。根據設備、讀取和寫入條件以及檔案大小情況，實際讀寫速度可能存在差異。
[5] 東芝記憶體株式會社上一代64GB設備THGAF4G9N4LBAIR

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東芝記憶體株式會社：採用64層 BiCS FLASH(TM) 3D快閃記憶體的UFS設備（照片：美國商業資訊）