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東芝針對高效率電源推出具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超結N溝道功率MOSFET

2017-01-23 11:38
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東京--(美國商業資訊)--東芝公司(TOKYO: 6502)旗下儲存與電子元件解決方案公司今日宣布針對高效率電源推出具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超結N溝道功率MOSFET。「DTMOS IV系列」的八款新MOSFET利用超結結構,與東芝之前的「π-MOSVIII系列」相比,其可將其單位面積導通電阻(RON x A)降低近79%。該系列產品改進的高速開關還有助於提高使用該系列產品的晶片組的電源效率。這些MOSFET適用於工業電源,伺服器、筆記型電腦配接器和充電器以及行動裝置的備用電源以及LED照明燈具的電源。出貨即日啟動。

這份智慧新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱:http://www.businesswire.com/news/home/20170120005137/en/

 

新MOSFET產品陣容及主要規格:

(@Ta=25°C)

產品
型號

 

封裝

 

絕對最大
額定值

 

RDS(ON)
@VGS=10 V
(Ω)

 

Qg典型值
@VDD≈640 V,
VGS=10 V,
ID=最大
額定值
(nC)

 

Ciss典型值
@VDS=300 V,
VGS=0 V,
f=1 MHz
(pF)

   

VDSS
@
ID=10 mA
(V)

 

ID
(A)

     

TK17A80W

 

TO-220SIS

 

800

 

17

 

0.29

 

32

 

2050[1]

TK12A80W

 

TO-220SIS

 

800

 

11.5

 

0.45

 

23

 

1400

TK10A80W

 

TO-220SIS

 

800

 

9.5

 

0.55

 

19

 

1150

TK7A80W

 

TO-220SIS

 

800

 

6.5

 

0.95

 

13

 

700

TK17E80W

 

TO-220

 

800

 

17

 

0.29

 

32

 

2050[1]

TK12E80W

 

TO-220

 

800

 

11.5

 

0.45

 

23

 

1400

TK10E80W

 

TO-220

 

800

 

9.5

 

0.55

 

19

 

1150

TK7E80W

 

TO-220

 

800

 

6.5

 

0.95

 

13

 

700

[1] 測量條件f=100 kHz

 

有關新產品和東芝中高電壓功率MOSFET產品陣容的更多資訊,請造訪如下連結:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/hv-mosfet.html

 

客戶詢問:
功率元件銷售與行銷部
電話:+81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

 

本新聞稿中的資訊,包括產品價格和規格、服務內容以及聯絡資訊僅反映截至本新聞稿發布之日的情況,如有變動,恕不另行通知。

 

關於東芝

東芝公司是一家《財星》雜誌全球500大企業,致力於將其在先進電子和電氣產品及系統方面的一流能力運用於三大重點業務領域:更為清潔和安全的維持日常生活的能源業務;保持生活品質的基礎建設業務;以及實現先進的資訊社會的儲存業務。在東芝集團的基本承諾「為了人類和地球的明天」的指引下,東芝竭力推動全球業務,並致力於實現一個讓子孫後代可以享有更加美好的生活的世界。

東芝於1875年在東京成立,如今已成為一家有著550家附屬公司的環球企業,全球擁有超過188,000名員工,年銷售額逾5.6兆日圓(500億美元)。(截至2016年3月31日)
有關東芝的更多資訊,請造訪www.toshiba.co.jp/index.htm

 

原文版本可在businesswire.com上查閱:http://www.businesswire.com/news/home/20170120005137/en/

 

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

 

聯絡方式:

媒體詢問:
東芝公司
儲存與電子元件解決方案公司
數位行銷部
Koji Takahata, +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

 

東芝:針對高效率電源推出的具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超結N溝道功率MOSFET(照片:美國商業資訊)

東芝:針對高效率電源推出的具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超結N溝道功率MOSFET(照片:美國商業資訊)

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