東京--(美國商業資訊)--東芝公司(TOKYO:6502)今日宣布研發全球首款*1運用矽穿孔(TSV)技術的16顆粒（最大）堆疊式NAND快閃記憶體。將於8月11日至13日在美國聖克拉拉舉行的2015年快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。
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堆疊式NAND快閃記憶體的先前技術是在封裝內運用打線接合法(wire bonding)連接在一起。而TSV技術利用垂直電極和貫穿矽晶片模的穿孔實現連接。該技術支援資料高速輸入和輸出，並降低功耗。
東芝TSV技術實現超過1Gbps的I/O資料速率，高於具有低電源電壓的任何其它NAND快閃記憶體。核心電路1.8V，I/O電路1.2V，寫入操作、讀取操作和I/O資料傳輸的功耗降低約50%*2。
這款全新的NAND快閃記憶體為包括高階企業級SSD在內的快閃記憶體應用提供理想的低延遲、高頻寬和高IOPS/Watt解決方案。
這項應用技術部分由日本新能源和工業技術開發組織(NEDO)研發。
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該原型的一般規格 |
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封裝類型 |
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NAND Dual x8 BGA-152 |
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儲存容量(GB) |
128 |
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256 |
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堆疊數： |
8 |
16 |
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外形尺寸 （毫米） |
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寬 |
14 |
14 |
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深度 |
18 |
18 |
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高 |
1.35 |
1.90 |
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介面 |
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Toggle DDR |
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注：
*1：截至2015年8月6日。東芝調查。
*2：與東芝當前產品相比。
關於東芝
東芝公司是一家《財星》雜誌全球500大企業，致力於將其在先進電子和電氣產品及系統方面的一流能力運用於五個策略業務領域：能源與基礎建設、社區解決方案、醫療照護系統與服務、電子設備與元件，以及生活方式產品與服務。在東芝集團的基本承諾「為了人類和地球的明天」的指引下，東芝以「透過創造力和創新實現成長」為目標來推動全球業務，並致力於讓全球各地的人們生活在一個安全、有保障和舒適的社會中。
東芝於1875年在東京成立，如今已成為一家有著590多家附屬公司的環球企業，全球擁有超過200,000名員工，年銷售額逾6.5兆日圓（630億美元）。
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搭載TSV技術的NAND快閃記憶體（圖片：美國商業資訊）
搭載TSV技術的16顆粒堆疊式NAND快閃記憶體（照片：美國商業資訊）
