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NextPower 100V 功率 MOSFET 具低 Qrr 值和175°C 高温指标

新一代器件改善了开关效率,提高了可靠性并降低了 EMI

2018-03-29 18:35
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奈梅亨 -- (美国商业资讯) -- Nexperia (其前身为恩智浦的标准产品部门) 今天宣布推出其功率 MOSFET 产品NextPower 100 V 系列。该产品系列具备低反向恢复电荷 (Qrr),且包括以 LFPAK56 (PowerSO8) 封装(结温可达到175°C)的器件。

NextPower 100 V MOSFET 是Nexperia 针对高效开关和高可靠应用的最新一代器件。其具备低 50% 的 RDS(on) 值和强大的雪崩能量指标,因而是电源、电信和工业应用方面的理想选择,尤其适合用于 USB-PD、Type-C充电器和转换器及 48 V DC-DC 转换器。该器件具备低体二极管损耗,其 Qrr 值低至 50 纳库伦 (nC) - 导致较低的反向恢复电流 (IRR),较低的电压尖峰 (Vpeak) 及降低的振铃纹波(有利于进一步优化死区时间)。

功率MOSFET产品经理 Mike Becker 先生表示: “Qrr 值是常常被关注的参数,该参数对许多设计方面有重大影响。低的尖峰意味着EMI 降低了,同时优化的死区时间进一步实现了的效率增益。这也是我们在Nexperia 所追求的。我们已经展示了低 QRR 值对这两项功能都是有益的。”

新型NextPower 100 V MOSFET有三种可用的封装形式:TO220 和 I2PAK插件封装,及流行的LFPAK56 封装 (贴片封装)。所有封装形式的器件都具备 175°C 的 Tj(max) ,且完全符合 IPC9592 扩展温度要求,因而使NextPower 100 V MOSFET 特别适合于电信和计算方面的应用。

NextPower MOSFET 器件现已量产,可供货。请访问 https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/qrr-overlooked-and-underappreciated-in-efficiency-battle.html

关于 Nexperia

Nexperia 是全球领先的分立元件、逻辑元件与 MOSFET 元件的专业制造商,其前身为恩智浦的标准产品部门,于 2017 年初开始独立运营。Nexperia 注重效率,生产稳定可靠的半导体元件,年产量高达850 亿颗,其很多产品系列符合汽车产业的严格标准。Nexperia 工厂生产的小型封装也是业内领先,不仅具有较高的功率与热效率,还是同类品质之最。

五十多年来,Nexperia 一直为全球各地的大型公司提供优质产品,并在亚洲、欧洲和美国拥有 11,000 名员工。该公司拥有庞大的知识产权组合,并获得了 ISO9001、ISO/TS16949、ISO14001 和 OHSAS18001 认证。

Nexperia:效率取胜。

在 businesswire.com 上查看源版本新闻稿: https://www.businesswire.com/news/home/20180329005435/zh-CN/

CONTACT:

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电话:+31 (6)137 111 41
电子邮箱:petra.beekmans@nexperia.com

公关代理:BWW Communications
Nick Foot,总监
电话:+44-1491-636393
电子邮箱:Nick.foot@bwwcomms.com

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