东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一款新的MOSFET“SSM6N357R”，该产品在漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。该器件适用于驱动机械继电器等电感负载。批量发货即日启动。
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SSM6N357R集成有下拉电阻器、串联电阻器和稳压二极管，有助于减少零部件数量并节省电路板空间。此外，由于该产品采用双列直插式封装（二合一），与采用两个SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm)单列直插式封装产品的替代方案相比，其安装面积减小42%。
SSM6N357R采用行业标准的TSOP6F级封装，具备3.0V的低工作电压并且通过了AEC-Q101认证，因此适合于汽车和许多其他应用。
应用场合
- 汽车应用的继电器和螺线管控制
- 工业应用的继电器和螺线管控制
- 办公设备离合器控制
特点
- 节省电路板空间且元器件数量减少（实现了下拉电阻器、串联电阻器和稳压二极管的集成。）
- 3.0V的低工作电压
- 双列直插式封装（二合一）
- 通过AEC-Q101认证
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主要规格 |
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(@Ta=25°C) |
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项目 |
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特性 |
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绝对最大额定值 |
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漏源极电压 VDSS (V) |
60 |
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栅源极电压 VGSS (V) |
±12 |
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漏极电流 ID (A) |
0.65 |
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电气特性 |
漏源极导通电阻 RDS(ON)最大值(mΩ) |
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|VGS|=3.0V |
2400 |
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|VGS|=5.0V |
1800 |
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栅极总电荷 Qg典型值(nC) |
1.5 |
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输入电容 Ciss典型值(pF) |
43 |
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封装 |
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TSOP6F |
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2.9mm×2.8mm；t=0.8mm |
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东芝电子元件及存储装置株式会社：“SSM6N357R”，面向继电器驱动器的小型双MOSFET。（照片：美国商业资讯）
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