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Global Foundries

GLOBALFOUNDRIES将在GSA展突显32nm/28nm技术领先地位

2009-10-05 16:16
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-新代工商将以成熟技术占据大规模应用先进技术的领先地位-

加利福尼亚州桑尼维尔-(美国商业资讯)-- 随着半导体行业开始向下一代技术节点过渡,GLOBALFOUNDRIES有望占据代工技术领先者的地位。10月1日,在加利福尼亚州圣克拉拉市举办的全球半导体联盟新机遇会展(Global Semiconductor Alliance Emerging Opportunities Expo & Conference)上,GLOBALFOUNDRIES(321号展位)将提供有关其32nm/28nm技术路线图,以及基于高 k金属栅极(HKMG)技术是"栅极优先"的创新晶体管制造方案的最新细节。

iSuppli公司主管兼首席分析师Len Jelinek说:"对于每一代新技术,半导体代工商正日益受到维持研发的经济状况、以及将这些技术大规模推向市场所需技能的挑战。凭借快速提升的、可以较高良率量产的领先技术,加上积极的产能和技术投资,GLOBALFOUNDRIES正处于挑战下一代晶片代工领先地位的独特有利形势。"

GLOBALFOUNDRIES预计2010年下半年在一厂开始32nm-SHP (超高性能)技术的批量生产。该技术将采用硅绝缘体(SOI)衬底,并利用GLOBALFOUNDRIES的创新"栅极优先"HKMG方案。与其他的"栅极最后"方案相比,"栅极优先"的HKMG方案可尽量提高功率效率,尽量缩小晶体管尺寸,同时尽量减少芯片尺寸和设计复杂性。24Mb SRAM的良率继续以两位数字增长,今年年底有望达到百分之五十的自然良率。

GLOBALFOUNDRIES一厂高级副总裁兼总经理Jim Doran表示:"与目前我们在一厂使用的45纳米技术相比,32纳米技术的性能将提高达百分之五十,同时具有与45纳米技术相同的漏电流水平。当把这与我们获得专利的自动化精确生产(APM)技术,以及极低的产品缺陷密度相结合,我们相信,在为我们的客户将该技术批量推向市场方面,我们将在代工商中处于领先地位。"

作为一家新加入代工行业的企业,GLOBALFOUNDRIES带来了领先的高性能处理器生产技术。在向45纳米这代技术过渡时,GLOBALFOUNDRIES比其他代工企业提前2到3个季度实现了具有成熟收益率的批量生产,同时比所有其他半导体制造商提前实施了复杂的光刻新技术(浸没式光刻技术)。

对于将用于大块硅衬底的28nm这一代技术,该公司的低成本设计原型设计穿梭服务(shuttle service)将于2010年第1季度接受客户和第三方IP设计,并计划2010年下半年开始生产。28nm技术提供了目前代工行业报告的最小的SRAM单元尺寸(0.12平方微米),以及相对于28nm"栅极最后"方案的芯片尺寸优势。此外,对于使用传统的基于多晶硅/氮氧化硅技术的5/40nm和32nm的客户,由于具有类似的工艺流程和设计规则,GLOBALFOUNDRIES的"栅极优先"的HKMG方案简化了28nm设计的实施以及IP重用。

处于28nm节点的客户将受益于32nm节点的领先技术的大批量应用,当28nm技术生产开始后,这将使GLOBALFOUNDRIES进入第二代的HKMG实施。28nm节点将有两种不同形式:28nm-HP(高性能)形式,该形式将进行优化以用于诸如图形、游戏机、存储、网络和媒体编码等领先应用;28nm-SLP(超低功率)形式,该形式将进行优化以用于诸如基带、应用处理器以及其它手持功能等需要较长电池寿命的无线移动应用。

GLOBALFOUNDRIES的采用"栅极优先"的HKMG加工方案的32nm和28nm技术,最初是在参加IBM技术联盟时与IBM合作开发的。2007年,IBM及其研究伙伴首先推出作为长期努力的晶体管改进基础的"栅极优先"HKMG创新,以处理45nm节点出现的漏电问题。

关于GLOBALFOUNDRIES

 GLOBALFOUNDRIES公司是世界第一家真正的全球性尖端半导体制造企业。 GLOBALFOUNDRIE公司由AMD(纽约证券交易所:AMD)和先进技术投资公司(ATIC)于2009年3月合作成立,公司提供尖端技术、卓越制造和全球经营的独特结合。GLOBALFOUNDRIES公司总部设在硅谷,并在奥斯汀、德累斯顿和纽约设厂。

欲了解更多关于GLOBALFOUNDRIES公司的信息,请访问 www.globalfoundries.com

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