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Toshiba 2019

東芝推出用於IGBT/MOSFET閘極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

2021-11-30 16:50
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日本川崎--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,簡稱「東芝」)推出了採用薄型SO6L封裝的兩款光耦TLP5705HTLP5702H,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣閘極驅動IC。這兩款元件即日起開始量產出貨。

此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20211129005274/en/

TLP5705H採用厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄型封裝(SO6L),是東芝首款可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產品。採用緩衝電路進行電流放大的中小型逆變器和伺服放大器等設備,現在可直接透過該光耦驅動其IGBT/MOSFET而無需任何緩衝器。這將有助於減少元件數量並實現設計小型化。

TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可相容東芝傳統的SDIP6封裝的焊盤[1],便於替代東芝現有產品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄,能夠為電路板元件布局提供更高的靈活性,並支援電路板背面安裝,或用於元件高度受限的新型電路設計。

這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達到125℃(Ta=-40至125ºC),使其更容易設計和保持溫度裕度。

此外,東芝提供的同系列元件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4),採用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項。

注:
[1] 封裝高度:4.25毫米(最大值)
[2] 目前產品:採用SDIP6封裝的TLP700H

應用

工業設備

  • 工業逆變器、交流伺服驅動器、太陽能逆變器、UPS等。

特性

  • 高峰值輸出電流額定值(Ta=-40℃至125℃時)
    IOP=±2.5A (TLP5702H)
    IOP=±5.0A (TLP5705H)
  • 薄型SO6L封裝
  • 高工作溫度額定值:Topr(最大值)=125°C

主要規格

 

(除非另有說明,Ta=-40℃至125℃時)

元件型號

TLP5702H

TLP5705H

TLP5702H(LF4)

TLP5705H(LF4)

封裝

名稱

SO6L

SO6L(LF4)

尺寸(mm)

10×3.84(典型值)

 

厚度:2.3(最大值)

11.05×3.84(典型值)

 

厚度:2.3(最大值)

絕對最大額定值

工作溫度Topr (°C)

-40至125

峰值輸出電流IOPH/IOPL (A)

±2.5

±5.0

±2.5

±5.0

電氣特性

峰值高電平輸出電流

 

IOPH最大值(A)

IF=5mA

 

VCC=15V

 

V6-5=-7V

-2.0

峰值低電平輸出電流

 

IOPL最小值(A)

IF=0mA

 

VCC=15V

 

V5-4=7V

2.0

峰值高電平輸出電流(L/H)

 

IOLH最大值(A)

IF=010mA

 

VCC=15V

 

Cg=0.18μF

 

CVDD=10μF

-3.5

-3.5

峰值低電平輸出電流(H/L)

 

IOHL最小值(A)

IF=100mA

 

VCC=15V

 

Cg=0.18μF

 

CVDD=10μF

3.0

3.0

電源電壓VCC (V)

15至30

電源電流ICCHICCL最大值(mA)

3.0

輸入電流閾值(L/H)

 

IFLH最大值(mA)

5

開關特性

傳播延遲時間

 

tpHLtpLH最大值(ns)

200

脈衝寬度失真

 

|tpHL–tpLH|最大值(ns)

50

傳播延遲差

 

(元件到元件)

 

tpsk (ns)

-80至80

共模

 

瞬變抗性

 

CMHCML最小值(kV/μs)

Ta=25°C

±50

隔離特性

隔離電壓

 

BVS最小值(Vrms)

Ta=25°C

5000

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東芝:用於IGBT/MOSFET閘極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦。(圖片:美國商業資訊)

東芝:用於IGBT/MOSFET閘極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦。(圖片:美國商業資訊)

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