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Transphorm發布高壓GaN的最新可靠性資料

公司實現了超過100億的現場工作小時;報告的FIT失效率與一年前相比下降至1以下

2020-10-30 16:34
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加州戈利塔--(美國商業資訊)--高可靠性、高性能的氮化鎵(GaN)功率轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)今天發布了有關其GaN技術的品質和可靠性(Q+R)的最新資訊。目前,Transphorm的GaN平臺在實際應用中的失效率(FIT)低於每十億小時1次故障——這是一種非常高的可靠性。以上FIT計算的依據來自大約250千瓩(MW)安裝量中累積的逾100億(10B)個現場工作小時。

此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20201029005469/en/

Transphorm元件如今已廣泛應用於65 W至3 kW的各種應用。例如,智慧手機和筆記型電腦的通用快速充電配接器;各種耐用型工業電源模組;以及符合歐洲議會和理事會(ErP: Directive 2009/125/Ec)高能效生態設計要求的1.5至3.0 kW鈦級資料中心電源。

Transphorm GaNSiC的可靠性對比

碳化矽(SiC)功率元件是一種替代的功率轉換解決方案,相較GaN功率解決方案更加成熟。與Transphorm GaN的100億小時相比,SiC由於商用時間更早而擁有超過一兆小時的現場執行時間。但最近的報告顯示,SiC的現場故障FIT為4.11,而Transphorm GaN迄今為止的FIT< 1,這一對比顯示了後者卓越的現場可靠性。

內部可靠性 = 現場可靠性 = 準確度

外在可靠性也稱為早期壽命失效(ELF)或早期失效期(Infant Mortality),是透過製造商內部分析來確定的——確定可能導致元件失效的材料、設計和製程控制缺陷。而「現場故障率」度量的是客戶生產系統中發生故障的元件數量與銷售元件總數之比。

在評估FIT時,需要研究以上兩個指標——ELF和現場故障率。這兩個比率的收斂意味著半導體製造商的內部可靠性評估是準確的;客戶可以相信所報告的元器件效能水準。

2019年1月,Transphorm宣布現場故障FIT為3.1。在2019年稍晚,現場故障FIT降至2.2。現在,Transphorm的現場故障FIT小於1,進一步接近其當前0.612的ELF FIT。

對於客戶而言,瞭解技術的ELF統計資料對於控制保固申請極為重要。Transphorm在測量其早期壽命失效率時遵循JEDEC的JESD74A標準中定義的標準行業慣例。為確保提供保守的結果,Transphorm對其元件進行了最大額定峰值和85°C的適當使用溫度測試。儘管JEDEC標準要求進行早期壽命失效率測試,但通常只有矽元件製造商報告該資料——大多數GaN和SiC電力電子製造商則沒有提供。

Transphorm品質和可靠性副總裁Ron Barr表示:「據我們所知,Transphorm是目前唯一一家報告ELF的高壓GaN半導體公司。我們知道,客戶在比較寬能隙技術時需要特定的資訊,所以我們希望對此保持透明。在準確性方面,正如我們經常看到的那樣,不同廠家對可靠性資料使用不同的計算方式或以不同尋常的方式加以處理,但仍作為同一指標類型進行報告。鑒於這種趨勢,我們的客戶教育工作著重在於說明,關鍵業務指標的證明必須使用合理的方法,以及這麼做的原因。」

Transphorm對業界進行了最有效的Q+R測試方法以及如何對結果進行解釋的教育,以確保客戶獲得準確的可靠性資料以進行關鍵業務決策。如需瞭解更多資訊,請觀看Transphorm可靠性測試的最新影片:https://bit.ly/3kDnusJ

需要注意的是,Transphorm網站上提供的可靠性報告將在2020年底更新,以包括所有第二代和第三代GaN FET的ELF FIT資料。

關於Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者,致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高效能、高可靠性的氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一,持有或取得授權的專利超過1,000多項,在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓GaN半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式,公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新:設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性,以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔,並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊,請造訪www.transphormchina.com。在微信上關注我們:@TransphormGaN。


1 “SiC Enabling EV Applications,” Power Electronics News, https://www.powerelectronicsnews.com/sic-enabling-ev-applications/,2019年4月12日。

2 測於520 V(按照80% V(BL)DSS的JEDEC標準)。

原文版本可在businesswire.com上查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20201029005469/en/

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

聯絡方式:

Heather Ailara
211 Communications
電話:+1.973.567.6040
heather@211comms.com

最近發布的一款智慧手機的通用快速充電配接器採用了Transphorm的GaN FET。(照片:美國商業資訊)

最近發布的一款智慧手機的通用快速充電配接器採用了Transphorm的GaN FET。(照片:美國商業資訊)

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