東京--(美國商業資訊)--全球記憶體解決方案領導者東芝記憶體公司(Toshiba Memory Corporation)今日宣布，該公司已推出其第二代NAND快閃記憶體產品系列，這些產品具有更高的性能和容量[1]，適用於嵌入式應用，可支援高速資料傳輸。新推出的序列介面NAND產品與廣泛使用的串列週邊介面(SPI)相容，適用於各種消費、工業和通訊應用。樣品於即日起出貨，計畫從10月開始量產。
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隨著元件在物聯網和通訊應用中的體積逐漸縮小，對小型封裝的大容量快閃記憶體的需求則日益成長，而小型封裝能夠以低引腳數量處理高速資料傳輸。由於與廣泛使用的SPI相容，這些序列介面NAND產品可以用作低引腳數、小型封裝和大容量的SLC NAND快閃記憶體產品。
為了能夠支援高速資料傳輸，新的第二代序列介面NAND產品提供高於現有第一代產品[1]的性能，包括133兆赫(MHz)的工作頻率和程式x4模式。此外，該系列還增加了8Gb（十億位元組）[2]元件，以滿足對更大儲存容量的需求。
新產品概況
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產品名稱 |
容量 |
輸入/輸出 |
電壓 |
封裝 |
量產時間 |
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TC58CVG0S3HRAIJ |
1Gb
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1倍、2倍、4倍
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3.3V |
8引腳 WSON[3] (6mm x 8mm) |
2019年10月 |
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TC58CYG0S3HRAIJ |
1.8V |
2019年10月 |
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TC58CVG1S3HRAIJ |
2Gb
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3.3V |
2019年10月 |
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TC58CYG1S3HRAIJ |
1.8V |
2019年10月 |
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TC58CVG2S0HRAIJ |
4Gb
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3.3V |
2019年10月 |
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TC58CYG2S0HRAIJ |
1.8V |
2019年10月 |
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TH58CVG3S0HRAIJ |
8Gb |
3.3V |
2019年12月 |
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TH58CYG3S0HRAIJ |
1.8V |
2019年12月 |
主要特點
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容量 |
1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb |
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分頁大小 |
2KByte (1Gb, 2Gb)，4KByte (4Gb, 8Gb) |
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介面 |
串列週邊設備介面型號0，型號3 |
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供電電壓 |
2.7至3.6V，1.7至1.95V |
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工作溫度範圍 |
-40 oC至85 oC |
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特性 |
• 133MHz工作頻率 • 程式 / 讀取x4模式 • 高速循順讀取功能 • ECC功能（開/關，位元轉換計數報告） • 資料保護功能（能夠保護特定的區塊）
• 參數分頁功能（能夠在元件上輸出詳細的資訊） |
注釋
[1] 與東芝記憶體公司現有的第一代序列介面NAND產品相比。東芝記憶體調查。
[2] 產品容量是根據產品內儲存晶片的容量而不是使用者可用於資料儲存的記憶體容量來確定的。由於額外負荷資料區域、格式、瑕疵區塊和其他限制，消費者可使用的容量會變少，並且還會因主機設備和應用程式而異。如需詳細資訊，請參閱適用的產品規格。
[3] WSON：超薄小外形無鉛封裝
* 本文提及的所有公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
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東芝記憶體公司
記憶體銷售和行銷部
電話：+81-3-6478-2412
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銷售策略規劃部
Koji Takahata
電話：+81-3-6478-2404
東芝記憶體公司：第二代序列介面NAND產品（照片：美國商業資訊）
