東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布推出低高度SO6L封裝閘極驅動光電耦合器，用於驅動中小功率IGBT和功率場效應電晶體（MOSFET）。量產定於1月底開始。
新產品TLP5701（用於驅動小功率IGBT）和TLP5702（用於驅動中等功率IGBT）是首批使用低高度SO6L封裝的東芝光電耦合器。只有54%的東芝產品使用SDIP6封裝，這些新設備將有助於更薄產品的開發。雖然擁有低高度，但是這些設備可以確保8毫米爬電距離，使它們適用於需要較高隔離規格的應用。
透過利用BiCMOS製程技術，TLP5701和TLP5702可實現2.0mA（最大）低供電電流和低功耗。透過與原先的大功率、高可靠性紅外線LED結合，它們可以應用於廣泛的應用，包括需要高熱穩定性的應用（例如工廠自動化和家用太陽能光電電力系統、數位家電和控制設備）。最大傳輸延遲時間和傳輸延遲偏差在定義的工作溫度範圍（最高攝氏110度）內可以獲得保證，因此能夠減少逆變電路的停滯時間，從而可以確保更高的作業效率。
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新產品的主要規格 |
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產品型號 |
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TLP5701 |
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TLP5702 |
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峰值輸出電流 |
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IOP=±0.6A（最大） |
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IOP=±2.5A（最大） |
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供電電壓 |
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Vcc=10V至30V |
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Vcc=15V至30V |
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供電電流 |
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Icc=2.0mA（最大） |
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閥值輸入電流 |
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IFLH=5mA（最大） |
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傳輸延遲時間 |
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tpLH/tpHL=500ns（最大） |
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tpLH/tpHL=200ns（最大） |
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傳輸延遲偏差 |
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tpsk=-80至80ns |
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爬電距離 |
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8毫米（最小） |
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隔離電壓 |
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BVs=5000Vrms |
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工作溫度範圍 |
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Topr=-40℃至110℃ |
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應用 |
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用於驅動小功率IGBT（最大20A等級）和功率MOSFET。 |
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用於驅動中等功率IGBT（最大80A等級）和功率MOSFET。 |
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東芝低高度SO6L封裝閘極驅動光電耦合器（照片：美國商業資訊）
